特許
J-GLOBAL ID：200903026904740556
ブラッグ反射膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204318
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190153
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】ブラッグ反射膜と同一の波長を有するレーザー・ビームを用いて実時間で所望の厚さの膜を成長させる方法を提供する。【解決手段】最初、複数のバッファー層が半導体基板上に形成され、次いで、第1及び第2エピタキシャル層がバッファー層上に成長される。第1及び第2エピタキシャル層の成長はブラッグ反射膜の反射波長と同一波長を有するレーザー・ビームによって連続して測定され、1/4波長厚さに成長するまでの期間が決定される。その後に成長されるブラッグ反射膜の厚さは、前記決定された成長期間に基づいて制御されるため、均一に成長される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数のバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上にInAlGaAsでなる第1エピタキシャル層およびInAlAsでなる第2エピタキシャル層を成長させる段階と、製作されるブラッグ反射膜の反射波長と同一の波長を有するレーザー・ビームを用いて前記第1および第2エピタキシャル層の厚さを測定する段階とを含み、前記ブラッグ反射膜が均一な厚さを有するように前記ブラッグ反射膜の厚さを前記測定値によって制御することを特徴とするイン-シチュ(in-situ)レーザー測定装置を用いるブラッグ反射膜の製作方法。
IPC (5件)：
H01S 3/18
, C30B 29/40 502
, G02B 5/08
, H01L 21/205
, C23C 14/54
H01S 3/18
, C30B 29/40 502 K
, G02B 5/08 C
, H01L 21/205
, C23C 14/54 D
