特許
J-GLOBAL ID：200903026909278753
半導体集積回路及びその機能変更方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-021983
公開番号（公開出願番号）：特開平5-188118
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 一旦デバイステストで不良と判定された半導体集積回路を完全に不良化して良品半導体集積回路と容易に区別できるようにする。【構成】 特定の信号入力端子IPADから供給されるチップ選択信号などの信号に基づいて活性化/非活性化可能にされて成る半導体集積回路1において、その特定信号入力端子IPADから供給される信号伝達経路に、当該経路の信号論理値をヒューズFUSE1を溶断するか否かによって選択的に半導体集積回路1の非活性化論理値に強制するための第1プログラム回路2を設ける。救済不可能な欠陥のある半導体集積回路1は第1プログラム回路2によって完全不良化され、これにより、当該半導体集積回路1を良品半導体集積回路と簡単に区別可能になる。
請求項（抜粋）：
特定の信号入力端子から供給される信号に基づいて活性化/非活性化可能にされて成る半導体集積回路において、前記特定信号入力端子から供給される信号伝達経路に、当該経路の信号論理値を選択的に非活性化論理値に強制するための第1プログラム回路を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R 31/28 V
, G11C 11/34 341 D
