特許

J-GLOBAL ID：200903026914867660

固体撮像素子の製造方法

発明者： 長澤 恒幸 ,  堀内 保伸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064278
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267637
出願日： 1992年03月21日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 CCD型固体撮像素子を製造する場合に、光電変換部から転送部へ信号電荷を転送するトランスファゲートを加工精度良く作製する。これにより、受光特性を安定化する。【構成】 半導体基板3の表面3aにゲート絶縁膜2,4を形成する。この上に第1のポリシリコン膜を堆積し、フォトリソグラフィを行ってこの第1のポリシリコン膜を加工して、トランスファゲート電極1を形成する。トランスファゲート電極1をマスクとしてイオン注入を行って、その両側の基板表面3aに光電変換部6と転送部7を形成する。この上に第2のポリシリコン膜を堆積し、フォトリソグラフィを行ってこの第2のポリシリコン膜を加工して、転送電極11を形成する。この転送電極11は、転送部7を覆い、かつトランスファゲート電極1に接触する状態に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上に第1のポリシリコン膜を堆積し、フォトリソグラフィを行ってこの第1のポリシリコン膜を加工して、トランスファゲート電極を形成する工程と、上記トランスファゲート電極をマスクとしてイオン注入を行って、上記基板表面のうち上記トランスファゲート電極の両側に相当する箇所に光電変換部と転送部をそれぞれ形成する工程と、上記基板上に第2のポリシリコン膜を堆積し、フォトリソグラフィを行ってこの第2のポリシリコン膜を加工して、上記転送部を覆い、かつ上記トランスファゲート電極に接触する転送電極を形成する工程を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。