特許

J-GLOBAL ID：200903026922784838

光集積装置

発明者： 伊澤 正隆
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018416
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215503
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の製造工程により集積化を図り、装置全体を小型化できると共に、光量の有効利用効率を向上させることができるだけでなく、既存の資源を有効に活用すると共に製造が容易であり、製造コストを低減することのできる光ピックアップ装置用の光集積装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板20上に、アルミ遮光層23、バッファ層26、光導波路27、及びグレーティング28を半導体製造工程により積層形成し、更に、アルミ遮光層23が設けられた領域に相当する光導波路27の上層には、グレーティング28と同一工程により、光導波路27よりも屈折率の高い伝搬損失低減膜29を所定の層厚で形成する。

請求項（抜粋）：

発光手段から発光出射された光を記録情報が記録された光情報記録担体に対して照射すると共に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光する光ピックアップ装置に用いられ、半導体基板上に積層形成された光集積装置であって、導波光を伝搬する光導波路と、前記光導波路上に積層され、前記反射光を前記光導波路に伝搬させる導波光と前記光導波路を透過させる透過光とに入力結合する結合器を前記光導波路と共に形成する光波結合手段と、前記結合器を形成する領域外の前記光導波路上に積層され前記光導波路と異なる屈折率を有する伝搬損失低減膜と、を備えたことを特徴とする光集積装置。

IPC (4件)：

G11B 7/135 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/34 ,  G11B 7/22

FI (4件)：

G11B 7/135 Z ,  G02B 6/34 ,  G11B 7/22 ,  G02B 6/12 B

Fターム (31件)：

2H037AA04 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037BA25 ,  2H037CA33 ,  2H037CA34 ,  2H047KA04 ,  2H047KB06 ,  2H047KB08 ,  2H047LA03 ,  2H047LA11 ,  2H047MA01 ,  2H047MA07 ,  2H047PA02 ,  2H047PA04 ,  2H047PA24 ,  2H047PA30 ,  2H047QA02 ,  2H047RA04 ,  2H047TA05 ,  2H047TA22 ,  2H047TA31 ,  2H047TA43 ,  2H047TA44 ,  5D119AA40 ,  5D119AA43 ,  5D119CA10 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119JA36 ,  5D119JB03