特許
J-GLOBAL ID：200903026925750039
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061041
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252317
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の基板実装時における加熱リフロー時等に樹脂封止パッケージにクラックが発生するのを防止する。【構成】 放熱体10のペレット搭載部13の上面にペレット16を囲むように矩形溝30を形成し、さらにその外側に溝31を形成する。矩形溝30とその外側溝31において放熱体10のヘッダ部11側の直線溝は非連続に形成し、非溝部32、33が複数個所設けられている。【効果】 半導体装置の基板実装時における加熱リフロー時等に樹脂封止パッケージ18が加熱されて、パッケージと放熱体との界面に吸湿されている水分が膨張しても、その水蒸気は放熱体の非溝部32、33とパッケージ18との界面を通って外部に排出されるため、パッケージにクラックが発生するのが防止される。そして、矩形溝30とその外側溝31とで放熱体とパッケージとの間における密着性および耐湿性は確保される。
請求項（抜粋）：
電子回路を作り込まれている半導体ペレットと、半導体ペレットがボンディングされている放熱体と、半導体ペレットに電気的に接続されているリードと、前記放熱体にボンディングされた半導体ペレットおよびリードの一部を樹脂封止するパッケージとを備えており、前記放熱体の一部である機器取付用のヘッダ部が前記パッケージ側面から突出している半導体装置において、前記放熱体の樹脂封止領域における半導体ペレットの周辺部に溝が形成されており、この溝が非連続に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 23/28
