特許

J-GLOBAL ID：200903026931224802

高電子移動度トランジスタおよびその製造方法

発明者： ジヨン・シー・フアング ,  ゴードン・エス・ジヤクソン
出願人/特許権者： レイセオン・カンパニー
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-117318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129341
出願日： 1992年05月11日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 高電子移動度トランジスタの活性層と電荷ドナー層の一方の層上に配置された1対の電荷遮蔽層を含む高電子移動度トランジスタを提供する。【構成】 対をなす遮蔽層22b、24は2倍のリセスを持つチャンネルを提供するようにパターン化される。電荷ドナー層22と隣接して配置される第1の電荷遮蔽層22bは、ソースおよびドレーン電極間に第1の長さを有するリセスを提供するためエッチングされるが、前記第1の電荷遮蔽層上に配置される第2の電荷遮蔽層24および該第1の電荷遮蔽層の一部は、ソースおよびドレーン電極間に第2の実質的に長い長さを提供するためエッチングされる。前記電荷ドナー層とショットキー・バリヤ接触状態に前記第1のリセス内にゲート電極30が設けられる。

請求項（抜粋）：

第1の第III族乃至第V族物質からなる電荷ドナー層と、該電荷ドナー層に隣接して配置され、前記第1の第III族乃至第V族物質のバンドギャップ・エネルギより低いバンドギャップ・エネルギを有する第2の第III族乃至第V族物質からなるチャンネル層とを含む高電子移動度トランジスタにおいて、前記電荷ドナー層およびチャンネル層の第1の部分上に配置された1対のオーミック接触と、前記電荷ドナー層およびチャンネル層の第2の部分上に配置されたショットキー・バリヤ接触と、前記トランジスタのゲート電極とドレーン電極との間の領域に存在する表面電荷の影響から前記電荷ドナー層およびチャンネル層の少なくとも一方を遮蔽する手段と、を設けてなる高電子移動度トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-002384
  
• 特開昭61-276377
  
• 特開平2-119146