特許
J-GLOBAL ID：200903026933608349
半導体レーザー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221424
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068242
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザーにおいて、高光出力特性でシングルモード光を出力する。【解決手段】 1×Nマルチモード干渉型(1×N-MMI)光導波路(Nは2以上の整数、この例では3)であるマルチモード導波路領域1と、その両端部に接続されている1対のシングルモード導波路領域2、3とからなる光導波路構造が設けられている。マルチモード導波路領域1は、長さが280μm程度で導波路幅W1が18μmであり、シングルモード導波路領域2、3は、それぞれ長さが50μm程度で導波路幅W2が2μmである。1×3-MMI光導波路を用いることによりシングルモード光出力が可能であるとともに、導波路幅が広いため高出力が得られる。
請求項（抜粋）：
シングルモード光を出力する半導体レーザーであって、1×N(Nは2以上の整数)マルチモード干渉型光導波路であるマルチモード導波路領域を含む光導波路構造を有する半導体レーザー。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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