特許
J-GLOBAL ID:200903026935999604

マイクロヒータ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐竹 良明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-268310
公開番号(公開出願番号):特開平6-084604
出願日: 1991年09月19日
公開日(公表日): 1994年03月25日
要約:
【要約】【目的】 マイクロヒータの上にトランジスタやダイオードなどの半導体素子をつくれるようにする。【構成】 シリコン基板10の表面に電気絶縁体の薄膜15がつくられており、該基板に穴21があいていて、この穴の上に前記電気絶縁膜15が架橋状に延びている。この架橋18に高濃度のホウ素を含有するp形単結晶シリコン薄膜の発熱体14が密着形成されている。
請求項(抜粋):
シリコン基板(10,41)と、この基板の表面につくられた電気絶縁体の薄膜(15)と、該基板にあけられた穴(21)の上の部分の電気絶縁体薄膜(18)に密着形成された、高濃度のホウ素を含有するp形単結晶シリコン薄膜の発熱体(14)からなるマイクロヒータ。
IPC (5件):
H01C 7/00 ,  G01P 5/12 ,  H01L 35/00 ,  H05B 3/14 ,  G01N 27/41
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-014401
  • 特開昭63-259459
  • 特開平3-233350

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