特許

J-GLOBAL ID：200903026940511725

酸化ケイ素薄膜の形成方法

発明者： 石川 道夫 ,  伊東 一幸
出願人/特許権者： 株式会社ジーティシー
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041758
公開番号（公開出願番号）：特開平5-239649
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月17日
要約：

【要約】【構成】 有機ケイ素ガスを含む反応ガスを用いてプラズマCVD法により酸化ケイ素薄膜を形成する際に、反応ガス中に水蒸気または水素を混合する。【効果】 400°C以下の基板温度で良質の酸化ケイ素薄膜が得られるようになり、安価なガラス基板の使用が可能となる。また、大型プラズマCVD装置では0.2W/cm2 以上の高周波電力を投入することは、歩留りの低下につながる場合もあるが、本発明により高周波投入電力の減少も可能になる。

請求項（抜粋）：

有機ケイ素ガスを含む反応ガスを用いてプラズマCVD法により酸化ケイ素薄膜を形成する際に、反応ガス中に水蒸気または水素を混合することを特徴とする酸化ケイ素薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-089876
  
• 特開昭63-282270