特許

J-GLOBAL ID：200903026949288883

高温、大流量化学気相堆積装置及び関連する方法

発明者： ジュン ザオ ,  リー ロー ,  シャオ リャン ジン ,  ジア-シャン ウォン ,  タレックス サジョト ,  ステファン ウルフ ,  リーオニッド セリュティン ,  アショック シンハ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-049956
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298767
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】四塩化チタンソースから半導体基板上に最大200オングストローム/分の速度でチタン膜を堆積させるための装置を提供する。【解決手段】本発明の実施形態によれば、底部にパワーが供給されるRF用の一体式RF面を有するセラミックヒータアセンブリは、より効率的なプラズマ処理のための少なくとも400°Cの温度のPECVD堆積を可能にする。サーマルチョークによってヒータがサポートシャフトから絶縁され、ヒータを横切る熱勾配を低減することによって、破壊の危険が低減され、ヒータの温度均一性が改善される。

請求項（抜粋）：

所定容積のチャンバと、金属とハロゲンとを含むソースガスを供給する複数のガスソースを備えた、前記チャンバで使用するための所定流量で前記ソースガスを導入するガス送出装置と、基板を支持するための表面を有し、ハロゲン化プラズマ種の環境内で少なくとも400°Cの温度まで抵抗加熱することが可能なヒータアセンブリを備えたヒータペデスタルと、RFジェネレータ及びRF面を備え、前記RF面が前記ヒータペデスタルの前記表面の下に配置されているプラズマ装置と、を備えた基板処理装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C