プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273138
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106314
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】高周波アンテナに高周波電力を印加して得られたプラズマによりプラズマ処理を行う装置において、静電チャックシ-トの交換の頻度を小さくすること。【構成】気密なチャンバ2の上面外側に載置台3に対向して渦巻き状のコイルよりなる高周波アンテナ6を設け、これに高周波電力を印加すると共に、チャンバ2内に例えばCF4 ガスを導入してプラズマを発生させる。一方載置台3上にセラミック、石英、絶縁性高分子から選ばれる材質よりなる静電チャックシ-ト4を形成し、この中に導電膜41を挟み込んで静電チャックを構成する。この装置のプラズマ中の反応性イオンの衝撃力は非常に大きく、これが静電チャックシ-ト4にも衝突するが、上述の材質はイオンの衝突に対する耐候性が大きいので損傷が少ない。

請求項（抜粋）：

気密構造のチャンバ内に処理ガスを導入してプラズマ化し、そのプラズマにより載置台上の被処理体を処理するプラズマ処理装置において、この載置台に対向して設けられた平面状のコイルよりなるアンテナと、このアンテナに高周波電力を印加するための高周波電源部と、前記載置台の載置面に設けられ、セラミック、石英、絶縁性高分子から選ばれる材質よりなる静電チャック層と、この静電チャック層に電圧を印加して被処理体を静電気力により静電チャック層に吸着させるための静電チャック用の電極と、を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/68 , H01Q 9/27 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-079025
特開平2-235332
特開平4-346829

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