特許

J-GLOBAL ID：200903026957343141

多層Al配線構造を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 百武 康仁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204527
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055425
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 平坦度が高く、高精度のパターンを有し、かつ高信頼度を有する半導体装置を得ることを最も主要な特徴とする。【解決手段】 半導体基板1の上に第1のAl配線7aが設けられる。第1のAl配線7aを覆うように半導体基板1の上に層間絶縁膜8aが設けられる。層間絶縁膜8aの上に第2のAl配線7bが設けられる。層間絶縁膜8aは、第1のAl配線7aを被覆するように半導体基板1の上に設けられる第1のシリコン酸化膜107aと、第1のシリコン酸化膜107aの表面の凹部に埋込まれるように設けられた第2のシリコン酸化膜108aとからなる。層間絶縁膜8aの表面の、半導体基板1の表面からの高さは、1チップ内の全体にわたって、等しくされている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた第1のAl配線と、前記第1のAl配線を覆うように前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に設けられた第2のAl配線と、を備え、前記層間絶縁膜は、前記第1のAl配線を被覆するように前記半導体基板の上に設けられた第1のシリコン酸化膜と、第1のシリコン酸化膜の表面の凹部に埋込まれように、該第1のシリコン酸化膜の上に設けられた第2のシリコン酸化膜とからなり、前記層間絶縁膜の表面の前記半導体基板の表面からの高さは、1チップ内の全体にわたって、等しくされている、多層Al配線構造を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 N