特許

J-GLOBAL ID：200903026977373241

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 上田 直樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-054125
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244351
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 情報の書き込み・消去を高速、低電圧で行うことができる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 上面に一方向の複数の溝を有する第1の導電型半導体基板と、溝の間にある基板凸部の上面に形成された第1のゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上面に形成された、導電材料からなる浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極の上面に形成された第2のゲート絶縁膜と、この第2のゲート絶縁膜の上面に形成された、もう一つの導電材料からなる導電体層とを備え、溝の一方に隣接する基板凸部が、その肩部近傍に基板突起を有し、かつこの基板突起の下部とその近傍に第2の導電型不純物拡散領域を有する不揮発性半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

上面に一方向の複数の溝を有する第1の導電型半導体基板と、前記溝の間にある基板凸部の上面に形成された第1のゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上面に形成された、導電材料からなる浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極の上面に形成された第2のゲート絶縁膜と、この第2のゲート絶縁膜の上面に形成された、もう一つの導電材料からなる導電体層とを備え、前記溝の一方に隣接する基板凸部の肩部が、その近傍に基板突起を有し、かつこの基板突起の下部とその近傍に第2の導電型不純物拡散領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (48件)：

5F001AA09 ,  5F001AA31 ,  5F001AA61 ,  5F001AB08 ,  5F001AC05 ,  5F001AC20 ,  5F001AD15 ,  5F001AD18 ,  5F001AD19 ,  5F001AD21 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AG12 ,  5F001AG30 ,  5F083EP05 ,  5F083EP13 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP50 ,  5F083EP62 ,  5F083EP67 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083ER30 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA22 ,  5F083PR09 ,  5F083PR12 ,  5F083PR33 ,  5F083PR37 ,  5F083PR38 ,  5F101BA13 ,  5F101BA24 ,  5F101BA34 ,  5F101BB05 ,  5F101BC03 ,  5F101BC06 ,  5F101BD05 ,  5F101BD09 ,  5F101BD10 ,  5F101BD13 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16