特許

J-GLOBAL ID：200903026977745114

半導体装置及びその製造方法

発明者： 野間 崇 ,  岡田 和央 ,  石部 眞三 ,  北川 勝彦 ,  森田 祐一 ,  大塚 茂樹 ,  山田 紘士 ,  大久保 登 ,  篠木 裕之 ,  沖川 満
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-361707
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165696
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】 出力画像に半導体基板の裏面に形成された配線のパターンが映り込むという問題を解消した半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板2の表面に、赤外線を検知可能なCCD型イメージセンサやCMOS型イメージセンサなどの受光素子1が形成され、半導体基板2の裏面には、複数のボール状の導電端子11が配置される。個々の導電端子11は配線層9を介して、半導体基板2の表面のパッド電極4と電気的に接続されている。ここで、配線層9と導電端子11は、半導体基板2の裏面のうち、垂直方向からみた場合に受光素子1の形成領域と重畳した領域を除く領域に形成させ、受光素子1の形成領域と重畳した領域には配線層9、導電端子11が配置されないように構成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

表面に受光素子が形成された半導体基板と、 前記受光素子の上方であって、前記半導体基板と貼り合わされた光透過性基板と、 前記半導体基板の裏面に形成された配線層と、 前記配線層を被覆する保護層とを備え、 前記配線層は、前記半導体基板の裏面のうち前記受光素子の形成領域に重畳した領域を除く領域に形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H01L31/02 B ,  H01L23/12 501P ,  H01L27/14 D

Fターム (20件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA34 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  4M118GB13 ,  4M118HA02 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5F088BA15 ,  5F088BB03 ,  5F088DA17 ,  5F088JA11 ,  5F088JA13 ,  5F088JA20 ,  5F088LA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許公表2002-512436