特許

J-GLOBAL ID：200903026977832017

電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

発明者： 川畑 達央
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110539
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283663
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 デバイス本体に貼り合わせたガラス基板の貫通穴を通して電気配線を形成する構造の電子デバイスにおいて、その製造手順を改良することにより、製品の信頼性および歩留りを向上させる。【解決手段】 デバイス本体1にガラス基板3を貼り合わせてから、そのガラス基板3の所定位置に貫通穴4を形成して、その貫通穴の奥にデバイス本体を露出させ、その露出部分に蒸着などすることにより電気的に接続する電気配線5を、貫通穴を通して形成する。貫通穴を形成した後に、デバイス本体との接合面側の研磨を行わないので、欠け等を生じることがなく、電気配線の切断や気密不良となることがない。

請求項（抜粋）：

デバイス本体にガラス基板を貼り合わせてから、そのガラス基板の所定位置に貫通穴を形成して、その貫通穴の奥に前記デバイス本体を露出させ、その露出部分に電気的に接続する電気配線を、前記貫通穴を通して形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  G01L 1/18 ,  G01P 15/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

H01L 23/30 G ,  G01L 1/18 ,  G01P 15/02 A ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/84 Z