パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037773
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226396
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】短波長領域の露光光に対応するエッチング耐性の低いレジストを用いて精度の高いパターン形成を行い、半導体装置の微細加工を可能にする。【構成】下地層12の上面に有機材料からなる反射防止膜形成層13を成膜し、この反射防止膜形成層13を250°Cで加熱処理してなる反射防止膜14を形成する。反射防止膜14の上面にレジスト膜15を形成し、エキシマレーザー光を用いたリソグラフィーによってレジスト膜15に開口パターン16を形成する。このレジスト膜15をマスクにして反射防止膜14を異方性エッチングする。反射防止膜14をマスクにして、エッチング選択比が反射防止膜:下地層=1:5.5〜7.0になるエッチング条件で下地層12を異方性エッチングする。これによって、レジスト膜のエッチング耐性に左右されずに下地層にパターン18が形成される。

請求項（抜粋）：

パターンを形成する下地層上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜の上面にレジスト膜を形成した後、リソグラフィーによって当該レジスト膜をパターン化する工程と、前記パターン化したレジスト膜をマスクにして前記反射防止膜を異方性エッチングする工程と、少なくとも前記反射防止膜をマスクにして前記下地層を異方性エッチングする工程とからなることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 J

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