特許
J-GLOBAL ID：200903026988458214
半導体光検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332277
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167096
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【構成】 本願の半導体光検出器21は、半導体基板22上に入射光の伝搬方向に沿って形成された複数の導波路型受光素子24〜26と、これら間に形成された半導体光導波路27とを具備し、受光素子24〜26は、その光吸収層のバンドギャップエネルギが入射光が伝搬する方向に向かって順次小さくなる様に配列されている。また、複数の半導体光導波路のコア層およびクラッド層のバンドギャップエネルギが、複数の受光素子の光吸収層のバンドギャップエネルギよりも大である。また、各々の半導体光導波路のコア層の少なくとも一部分が入射光の伝搬方向に対して前に位置する受光素子の吸収層と同一の半導体層からなる。【効果】 複数の波長光から構成される入射光信号を短波長光から順次検出することができ、光吸収効率を劣化させずキャリア走行時間を短縮することができ、受光素子の集積数を増加させることがきわめて容易となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に入射光の伝搬方向に沿って形成された複数の導波路型受光素子と、前記複数の導波路型受光素子のそれぞれの間に形成された半導体光導波路とを具備し、これらの導波路型受光素子は、その光吸収層をなす半導体層のバンドギャップエネルギが、入射光が伝搬する方向に向かって順次小さくなる様に配列されていることを特徴とする半導体光検出器。
引用特許：
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