特許
J-GLOBAL ID：200903026993060156
SMD(SurfaceMountDevice)のチップタイプダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-319900
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086162
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 大幅にダイオードのチップ体積を縮め、熱の伝導特性を改善可能なSMDのチップタイプダイオードを提供する。【解決手段】 拡散技術で、セミコンダクターウェハーの両端面に、p+型コンダクター11及びn+型のセミコンダクター12を形成し、それぞれ複数のダイオードを作る。各ダイオードの一つの端面に、複数の溝を加工し、溝の深さをもう一つの端面まで至るようにさせる。端面のセミコンダクターを相互絶縁の二部分へ区画する絶縁層30を焼結する。中央部分のp+型セミコンダクター11は、導電の金属層で覆われ、半田付けの導電端とし、周縁の部分は、別の導電の金属層で覆われる。別の導電の金属層は各ダイオードのもう一つの端面の別のセミコンダクターの側縁まで延ばされ、半田付け導電端を形成する。ダイオードの同一端に、二つの独立の半田付け導電端を形成し、半田付け導電端がp+型セミコンダクター及びn+型セミコンダクターと導電する。【選択図】 図12
請求項（抜粋）：
拡散技術により、セミコンダクターウェハーの両端面に、それぞれ所定の厚さのセミコンダクターが形成され、ウェハーにそれぞれ複数のダイオードが設けられ、各ダイオードの端面において、第一絶縁層で、セミコンダクターが相互絶縁の二部分へ区画され、中央部分のセミコンダクターは、導電の金属層により覆われ、半田付けの導電端とされ、周縁の部分は、別の導電の金属層により覆われ、別の導電の金属層は各ダイオードのもう一つの端面の別のセミコンダクターの側縁まで延ばされて導電させられ、もう一つの半田付けの導電端を形成することを特徴とするSMD(Surface Mount Device)のチップタイプダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/91 C
, H01L29/91 A
