特許

J-GLOBAL ID：200903026993752503

半導体集積回路装置とその製造方法

発明者： 荒井 千広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018316
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214890
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 素子・基板間の寄生容量を飛躍的に低め、寄生サイリスタをなくし、寄生抵抗を減少し、バイポーラトランジスタの場合にはオン抵抗、飽和電圧VCEsat の低減を、フォトトランジスタの場合はクロストークの阻止、受光感度の向上を図る。【解決手段】 バイポーラトランジスタ等の各半導体素子間を、各素子の側部及び底部と接する絶縁膜13により分離し、上記各半導体素子と上記絶縁膜13との間に金属を少なくとも含む導電膜12を介在せしめる。

請求項（抜粋）：

各半導体素子がそれぞれその側部及び底部にて接する絶縁膜により互いに分離され、上記各半導体素子と上記絶縁膜との間に金属を少なくとも含む導電膜が介在せしめられたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/762 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F ,  H01L 29/72 ,  H01L 31/10 A