特許
J-GLOBAL ID:200903026996990995
特に可動質量体を有する半導体構成素子を製作するための方法ならびに該方法により製作された半導体構成素子
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
矢野 敏雄
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-552846
公開番号(公開出願番号):特表2004-525352
出願日: 2001年12月06日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
本発明は、該当する独立請求項の上位概念部に記載した形式の、特に可動質量体もしくは振動構造体(501,502;601,702)を有する半導体構成素子(300;400;500;600;700;900;1000;1100)、特に多層状の半導体構成素子を製作するための方法および該方法により製作された半導体構成素子から出発する。単結晶振動構造体(501,502;601,702)を備えたマイクロマシニング型の構成素子、特に加速度センサまたはヨーレートセンサを簡単にかつ廉価に表面マイクロマシニングで製作することができるようにするためには、本発明による方法では、第1のステップで第1の多孔質の層(301;901)を半導体構成素子に形成し、第2のステップで中空室もしくは空洞(302;1101)を、半導体構成素子に設けられた第1の多孔質の層(301)の下方にまたは第1の多孔質の層(901)から形成することが提案されている。
請求項(抜粋):
特にシリコンから成る半導体基板(101)を有する半導体構成素子(300;400;500;600;700;900;1000;1100)、特に多層状の半導体構成素子、有利にはマイクロマシニング型の構成素子、特に加速度センサまたはヨーレートセンサを製作するための方法において、
第1のステップで第1の多孔質の層(301;901)を半導体構成素子に形成し;
第2のステップで中空室もしくは空洞(302;1101)を、半導体構成素子に設けられた第1の多孔質の層(301)の下方にまたは第1の多孔質の層(901)から形成する;
ことを特徴とする、半導体構成素子を製作するための方法。
IPC (8件):
G01P15/12
, B81B3/00
, B81C1/00
, C23F1/24
, G01C19/56
, G01P9/04
, H01L21/306
, H01L29/84
FI (9件):
G01P15/12 D
, B81B3/00
, B81C1/00
, C23F1/24
, G01C19/56
, G01P9/04
, H01L29/84 A
, H01L29/84 Z
, H01L21/306 B
Fターム (34件):
2F105BB14
, 2F105BB15
, 2F105CC04
, 2F105CD11
, 2F105CD13
, 4K057WA12
, 4K057WB06
, 4K057WC10
, 4K057WE07
, 4K057WF06
, 4K057WG03
, 4K057WN01
, 4M112AA02
, 4M112BA01
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA27
, 4M112CA32
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA07
, 4M112DA11
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112FA06
, 4M112FA20
, 5F043AA02
, 5F043BB01
, 5F043FF02
, 5F043FF10
, 5F043GG10
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