特許
J-GLOBAL ID：200903026999858672
ヘテロエピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003885
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216037
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 格子不整合系ヘテロエピタキシーにおいて、低欠陥の良質の結晶層を提供する。【構成】 半導体基板1上に格子定数の異なる他の半導体層2を積層し、その上に多数の(111)面を有する凹凸3を形成する。更にその上に貫通転位伝播抑制のための歪層4を積層した後、半導体層2と同種又は異なった半導体層5を積層する。【効果】 (111)面及び凹凸近傍で貫通転位間の反応・消滅が起り易く、低欠陥化が図れる。
請求項（抜粋）：
第一の半導体層上に格子定数の異なる第二の半導体層を積層してなるヘテロエピタキシャル成長方法において、該第一の半導体層上に該第二の半導体層を積層する工程と、該第二の半導体層の表面に多数の(111)面を有する凹凸を形成する工程と、凹凸を形成した該第二の半導体層上に転位の伝播を阻止するための歪層を形成する工程と、該歪層上に該第二の半導体層または第三の半導体層を積層する工程を含むことを特徴とするヘテロエピタキシャル成長方法。
IPC (2件)：
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