特許

J-GLOBAL ID：200903027001591860

半導体装置の製造方法

発明者： 森井 弘毅 ,  矢島 明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108470
公開番号（公開出願番号）：特開2003-301293
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 メッキ配管内や噴流ポンプ起動時に発生する気泡やメッキ液と被メッキ面を構成する材料との化学反応によって発生する気泡が、ウェハの被メッキ面に停滞することを防止し、メッキ不良を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 メッキ液の流量を上げてウェハ1の被メッキ面をメッキ液に浸したり、メッキ液の流量を下げて被メッキ面をメッキ液から離したりする工程を繰り返す。つまり、メッキ液の流量を第1流量にすることにより、ウェハ1の被メッキ面をメッキ液に浸して導体膜を形成する工程と、メッキ液の流量を第1流量より小さい第2流量にして、ウェハ1の被メッキ面をメッキ液から離す工程とを繰り返す。

請求項（抜粋）：

ウェハの被メッキ面を浸したメッキ液に電流を流すことにより前記ウェハの被メッキ面に導体膜を形成する工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記ウェハの被メッキ面に前記導体膜を形成する工程と前記ウェハの被メッキ面に前記導体膜を形成しない状態にする工程とを交互に繰り返す工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

C25D 7/12 ,  C25D 5/08 ,  C25D 21/04 ,  H01L 21/288 ,  H01L 23/12 501

FI (5件)：

C25D 7/12 ,  C25D 5/08 ,  C25D 21/04 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 23/12 501 P

Fターム (7件)：

4K024AA09 ,  4K024BB12 ,  4K024CA10 ,  4K024FA05 ,  4K024GA01 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52