特許
J-GLOBAL ID:200903027009226703
クリーニング組成物および残留物を除去する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高木 千嘉 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-549692
公開番号(公開出願番号):特表2002-515537
出願日: 1999年05月18日
公開日(公表日): 2002年05月28日
要約:
【要約】水をベースとし、フォトレジスト、プラズマエッチおよびCMPの残留物を基板から除去するのに有用な非腐食性のクリーニング組成物。好ましい1つのクリーニング組成物は、(i)ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン塩化合物、(ii)少なくとも1つのフッ素含有化合物、および(iii)水を含む。別なクリーニング組成物は(i)アミン、4級アンモニウムハイドロオキサイドおよびアンモニウムハイドロオキサイドからなる群から選択される化合物、(ii)少なくとも1つのフッ素含有化合物、および(iii)水を含む。
請求項(抜粋):
(i) ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン塩化合物、 (ii) 少なくとも1つのフッ素含有化合物、および (iii) 水を含むクリーニング組成物。
IPC (4件):
C11D 1/62
, C11D 3/24
, C11D 3/30
, C11D 17/08
FI (4件):
C11D 1/62
, C11D 3/24
, C11D 3/30
, C11D 17/08
Fターム (19件):
4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003EA05
, 4H003EA31
, 4H003EB04
, 4H003EB07
, 4H003EB08
, 4H003EB12
, 4H003EB13
, 4H003EB14
, 4H003EB19
, 4H003EB20
, 4H003ED02
, 4H003ED19
, 4H003ED21
, 4H003ED26
, 4H003EE03
, 4H003FA15
, 4H003FA28
引用特許:
審査官引用 (9件)
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レジスト用剥離液組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-179872
出願人:東京応化工業株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-135029
出願人:株式会社東芝
-
特開平4-146616
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