特許
J-GLOBAL ID：200903027012153156
スイッチ素子、メモリ素子および磁気抵抗効果素子
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-234515
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049084
出願日： 2005年08月12日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】素子の小型化による特性の劣化が簡略な構造により防止された、カーボンナノチューブを用いたスイッチ素子、磁気抵抗効果素子およびメモリ素子を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に立設された複数のカーボンナノチューブと、前記各カーボンナノチューブの先端に配置された磁性体粒子と、前記各カーボンナノチューブの基端と前記基板との間に形成された複数の導電層と、を備えて構成され、前記導電層間に電位差を生じさせることにより前記カーボンナノチューブまたは前記カーボンナノチューブの先端に配置された前記磁性体粒子同士を接触させ、前記カーボンナノチューブまたは前記磁性体粒子同士が接触した状態において該カーボンナノチューブ間に電流を流すことにより該カーボンナノチューブを離間させてスイッチ動作を実行する。【選択図】 図1-1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に立設された複数のカーボンナノチューブと、
前記各カーボンナノチューブの先端に配置された磁性体粒子と、
前記各カーボンナノチューブの基端と前記基板との間に形成された複数の導電層と、
を備えて構成され、
前記導電層間に電位差を生じさせることにより前記カーボンナノチューブまたは前記カーボンナノチューブの先端に配置された前記磁性体粒子同士を接触させ、前記カーボンナノチューブまたは前記磁性体粒子同士が接触した状態において該カーボンナノチューブ間に電流を流すことにより該カーボンナノチューブを離間させてスイッチ動作を実行すること
を特徴とするスイッチ素子。
IPC (6件)：
H01L 29/66
, G11C 13/00
, H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 29/06
H01L29/66 C
, G11C13/00 Z
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01L29/06 601N
