特許
J-GLOBAL ID：200903027013935565
微細構造形成方法およびこれにより作製した電子素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114268
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316140
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】電子の閉じ込めを確実に行なえる理想的なポテンシャル障壁を有する微細構造を固体材料表面に形成する。【構成】Si(111)基板表面上に、Geを基板温度250〜350°Cでステップ直上に成長させ、次に基板温度350〜800°CでSiをステップフロー成長させることで、Si基板表面上にGe結晶からなる微細な構造体を形成する。【効果】Si基板上にGeの結晶構造が離散的に形成することにより、Ge結晶中の電子を真空準位で閉じ込められる。
請求項（抜粋）：
表面に段差を有する基板を用い該基板の温度を第1の温度範囲に設定して基板表面の段差の略直上を中心として該段差の上段側の表面に第1の結晶の成長を行なう第1の工程と、上記第1の温度範囲より高温の第2の温度範囲に基板温度を設定して上記段差の下段側の表面に上記段差を起点として第2の結晶の成長を行なう第2の工程とからなることを特徴とする微細構造形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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