特許

J-GLOBAL ID：200903027020194708

高周波用電力増幅器

発明者： 生田 貴紀 ,  阪本 芳弘
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339983
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156556
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 回路面積を小さくし、隣接チャネル漏洩電力を低減しなければならない。また、高周波用電力増幅器の組み立て後の特性調整も望まれている。【解決手段】 ゲート電極に入力された高周波信号を増幅してドレイン電極より送出する高周波トランジスタQ11を、入力整合回路12と出力整合回路13および直流電流バイアス回路とが形成された誘電体基板上に導体バンプを介して搭載実装するとともに、高周波トランジスタQ11に対向する部位の誘電体基板内に基板の下面の接地電極に接続された複数本の貫通導体を形成して、高周波トランジスタQ11および誘電体基板とこれら貫通導体とにより、高周波トランジスタQ11のソース電極に接続された直列共振回路18を構成した高周波用電力増幅器11である。隣接チャネル漏洩電力を低減して性能を向上でき、回路の面積を小さくでき、さらに組み立て後に直列共振回路18の共振周波数を容易に調整できる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極に入力された高周波信号を増幅してドレイン電極より送出する高周波トランジスタを、前記ゲート電極に接続される入力整合回路と、前記ドレイン電極に接続される出力整合回路および直流電流バイアス回路とが形成された誘電体基板の上面に導体バンプを介して搭載実装するとともに、前記高周波トランジスタに対向する部位の前記誘電体基板内に該誘電体基板の下面に形成した接地電極に電気的に接続された貫通導体を複数本形成し、前記高周波トランジスタおよび前記誘電体基板と前記複数本の貫通導体とにより、前記高周波トランジスタのソース電極に接続された直列共振回路を構成したことを特徴とする高周波用電力増幅器。

IPC (2件)：

H03F 3/195 ,  H03F 3/60

FI (2件)：

H03F 3/195 ,  H03F 3/60

Fターム (45件)：

5J067AA04 ,  5J067AA41 ,  5J067CA81 ,  5J067CA92 ,  5J067CA98 ,  5J067FA10 ,  5J067FA16 ,  5J067HA09 ,  5J067HA25 ,  5J067HA29 ,  5J067HA33 ,  5J067KA12 ,  5J067KA13 ,  5J067KA29 ,  5J067KA45 ,  5J067KA68 ,  5J067KS27 ,  5J067KS28 ,  5J067LS11 ,  5J067QA04 ,  5J067QS05 ,  5J067QS17 ,  5J067SA14 ,  5J067TA01 ,  5J092AA04 ,  5J092AA41 ,  5J092CA81 ,  5J092CA92 ,  5J092CA98 ,  5J092FA10 ,  5J092FA16 ,  5J092HA09 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA33 ,  5J092KA12 ,  5J092KA13 ,  5J092KA29 ,  5J092KA45 ,  5J092KA68 ,  5J092QA04 ,  5J092SA14 ,  5J092TA01 ,  5J092VL05 ,  5J092VL08