特許

J-GLOBAL ID：200903027024415040

透明導電膜の形成方法、その膜を用いた透明電極形成方法およびその電極を用いたフラットディスプレイパネルとその製造方法

発明者： 里見 秀人 ,  藤沢 弘明 ,  脇谷 雅行 ,  篠田 傳
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254316
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 表示パネルの透明導電膜のパターンの形成方法に関し、透明電極パターンが高精度にエッチングむらが無く形成可能なパターン形成方法の提供を目的とする。【構成】 触媒を必要としないエッチングによりパターン形成の可能な透明導電膜の形成において、基板1上に有機溶媒に有機錫と有機アンチモンとをアンチモン/錫=8〜15重量%の割合で混合してなる透明導電性インクを塗布し、乾燥させた後、250 °C〜410 °Cの温度で焼成する工程を採用し、またこの透明導電膜をエッチングにより電極形状にパターン形成した後、該透明導電膜の電気抵抗を低下させるべく500 °C〜800 °Cの温度で再焼成して、フラットディスプレイパネル等の透明電極を形成し、AC型プラズマディスプレイパネルの場合、この再焼成工程が透明電極を被覆する誘電体層の焼成工程を兼用して構成する。

請求項（抜粋）：

触媒を必要としないエッチングによりパターン形成の可能な透明導電膜の形成方法であって、基板(1) 上に、有機溶剤に有機錫と有機アンチモンとをアンチモン/錫=8〜15重量%の割合で混合してなる透明導電性インクを塗布し、乾燥させた後、250 °C〜410 °Cの温度で焼成して透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1343 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/00