特許
J-GLOBAL ID：200903027027842721
半導体製造用サセプター
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068104
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279974
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】 導電体と緻密質の絶縁製セラミックス基材とを有する半導体製造用サセプターにおいて、このセラミックス基材からの導電体の露出部分からの放電,腐食,汚染を防止することである。【構成】 セラミックス基材1からの導電体2の露出部分が、絶縁性の溶射膜9によって被覆されている。溶射膜9を熱処理することもできる。導電体2が膜状電極2である場合には、膜状電極2の周縁部をエッチング等により除去加工し、凹部8を設けることもできる。本発明は、静電チャックの膜状電極2,セラミックスヒーターの端子部分等に対して適用できる。
請求項（抜粋）：
導電体と緻密質の絶縁性セラミックス基材とを有する半導体製造用サセプターであって、前記セラミックス基材からの前記導電体の露出部分が絶縁性の溶射膜によって被覆されていることを特徴とする半導体製造用サセプター。
IPC (2件)：
引用特許：
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