薄膜形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079481
公開番号（公開出願番号）：特開平9-241851
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月16日
要約：

【要約】【課題】被薄膜形成対象物の薄膜形成面に形成する薄膜を均一に形成することができなかつた。【解決手段】所定の電圧印加手段(15A、15B、16、17A、19、20)によつて電圧が印加されることにより電界を形成する一対の電極(24C、25C)を設け、各電極(24C、25C)間に電界が形成されたとき、原料ガス(22)を電界を介して放電分解して被薄膜形成対象物(12)の薄膜形成面(12A)に供給する。これにより、電極(24C)及び電極(25C)間の電界強度を一定にすることができるので、電界中における原料ガス(22)の放電分解率を一定にすることができ、かくして被薄膜形成対象物(12)の薄膜形成面(12)に原料ガス(22)に応じた薄膜を均一に形成することができる。

請求項（抜粋）：

被薄膜形成対象物と、所定の電圧印加手段によつて電圧が印加されることにより電界を形成する一対の電極と、各上記電極間に上記電界が形成されたとき、原料ガスを上記電界を介して放電分解して上記被薄膜形成対象物の薄膜形成面に供給する原料ガス供給手段とを具えることを特徴とする薄膜形成装置。

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