特許

J-GLOBAL ID：200903027028898470

不揮発性半導体記憶装置及びその形成方法

発明者： 福田 永
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184605
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045725
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 層間絶縁膜へのリン原子の拡散を抑制し、層間絶縁膜と浮遊ゲート電極との界面の整合性及び層間絶縁膜の膜厚の均一性に優れた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 この発明の不揮発性半導体記憶装置の構造によれば、層間絶縁膜21aを、下層側から順に第1絶縁膜16aと第2絶縁膜18aと第3絶縁膜20aとの積層構造とし、この第1絶縁膜16aをオキシナイトライド(SiOX NY)膜とする。また、第2絶縁膜18aをシリコン窒化膜、第3絶縁膜20aを二酸化シリコン膜とする。また、不揮発性半導体記憶装置の形成方法によれば、浮遊ゲート電極14a上に窒素含有の反応性ガスを用いた加熱処理によって第1絶縁膜を形成する。その後、この第1絶縁膜上にシランガスとアンモニヤガスとの混合ガスとを用いた加熱処理によって第2絶縁膜を形成する。更に、第2絶縁膜上に酸素ガスと水素ガスとを用いて加熱処理によって第3絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

トンネル酸化膜と浮遊ゲート電極と層間絶縁膜と制御ゲート電極とを具える不揮発性半導体記憶装置において、前記層間絶縁膜を、下層側から順に第1絶縁膜と第2絶縁膜と第3絶縁膜との積層構造として、前記第1絶縁膜をオキシナイトライド(SiOX NY )膜とすることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318