特許
J-GLOBAL ID：200903027029139220
半導体光結晶素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200340
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031587
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 光の波長オーダで動作する3次元屈折率変調構造・2次元屈折率変調構造を備えた半導体光結晶素子を、穴をあけずに容易に製造することができる半導体光結晶素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 屈折率変調構造を備えた半導体光結晶素子Sの製造方法であって、屈折率変調構造が少なくとも、(ア) 基板1上にAl含有の第1の化合物半導体層21とAl非含有の第2の化合物半導体層22の積層構造2を成長する工程と、(イ) 積層されたAl含有の第1の化合物半導体層21の所定の箇所の真下に位置するAlのみを垂直に選択的に酸化する酸化工程、を経て構成される3次元屈折率変調構造3Dであるか、酸化工程の前に、Al含有の第1の化合物半導体層21とAl非含有の第2の化合物半導体層22の積層構造2を混晶化する工程を行なうことにより構成される2次元屈折率変調構造2Dであることを解決手段とする。
請求項（抜粋）：
屈折率変調構造を備えた半導体光結晶素子の製造方法であって、前記屈折率変調構造が少なくとも、(ア) 基板上にAl含有の第1の化合物半導体層とAl非含有の第2の化合物半導体層を交互に積層したIII-V族の化合物半導体よりなる積層構造を成長する積層構造成長工程と、(イ) 前記積層構造の最上層の所定の箇所より前記基板方向にO(酸素)を供給することにより、積層された前記Al含有の第1の化合物半導体層の前記所定の箇所の真下に位置するAlのみを垂直に選択的に酸化し、該酸化部分を前記最上層から平面視して2次元的に周期配列するように形成する酸化工程、を経て構成される3次元屈折率変調構造であることを特徴とした半導体光結晶素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (26件)：
5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC11
, 5F045AF04
, 5F045AF20
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045DA64
, 5F045HA15
, 5F045HA20
, 5F073AA75
, 5F073AB17
, 5F073CA02
, 5F073CA04
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CA13
, 5F073CA14
, 5F073CA15
, 5F073DA12
, 5F073DA14
, 5F073DA27
, 5F073EA23
