特許
J-GLOBAL ID：200903027030895097
磁気抵抗効果素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-013076
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213355
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 MRヘッド等の再生部に用いられる磁気抵抗効果素子おいて、より大きな抵抗変化率を得ることにより、高感度、高出力化を可能とする。【解決手段】 第1の強磁性膜22(自由層)を強磁性膜23と非磁性膜24の積層構造とし、かつ前記強磁性膜23の磁化方向が相互作用により反強磁性整列の状態となるように構成した。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の強磁性膜、非磁性中間膜、第2の強磁性膜、反強磁性膜が順に成膜された積層膜を備えた磁気抵抗効果素子であって、前記第1の強磁性膜が強磁性膜と非磁性膜の積層構造を持ち、かつ前記強磁性膜の磁化方向が相互作用により反強磁性整列していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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