特許

J-GLOBAL ID：200903027033596570

低炭素フェロボロンの製造方法

発明者： 渕 保成 ,  中村 健彦 ,  黒田 良治 ,  田中 義孝 ,  中島 絹枝
出願人/特許権者： 日本電工株式会社
代理人 (1件)： 白木 大太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399710
公開番号（公開出願番号）：特開2002-194476
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】 フェロボロン中のC含有量を従来に比べて低下させ、希土類磁石用原料として十分なフェロボロンを高い歩留まりで生産しうる方法を提案する。【解決手段】 高炭素フェロボロン溶湯を1500〜1600°Cの範囲に保持しつつ撹拌して炭素および炭化物を析出・分離する。この際、析出・分離させた炭素および炭化物を耐火物に吸着・除去するのが好ましい。

請求項（抜粋）：

高炭素フェロボロン溶湯を1500〜1600°Cの範囲に保持しつつ撹拌して炭素および炭化物を析出・分離することを特徴とする低炭素フェロボロンの製造方法。