特許
J-GLOBAL ID：200903027034001619
粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206731
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078269
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 バリスタ電圧のバラツキの少ない粒界絶縁型積層半導体セラミックコンデンサを提供することを目的とするものである。【構成】 本発明はSrTiO3またはSrTiO3のSrの一部をCa,Mg,Baで置換したものおよびこれらの混合物を主成分とするセラミック材料を還元雰囲気中で熱処理した後、成形し、次に酸素雰囲気中で焼成後、電極形成するものである。
請求項（抜粋）：
SrTiO3またはSrTiO3のSrの一部をCa,Mg,Baで置換したものおよびこれらの混合物を主成分とするセラミック材料を還元雰囲気中で熱処理し、次に、前記セラミック材料を成形して、酸素雰囲気中で焼成し、電極を形成する粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサの製造方法。
引用特許：
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