特許
J-GLOBAL ID：200903027035432680
化合物半導体表面の清浄化方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-135669
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177102
出願日： 1991年05月10日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体の表面を清浄化する場合、従来の高温処理,イオン照射等の高エネルギー処理による結晶表面近傍の変質層の形成を避け、低欠陥,低酸化物,低汚染の化合物半導体表面を形成すること。【構成】 高純度不活性ガス或いは高純度水素ガスの雰囲気下で17MΩ・cm以上の高抵抗値を有する超純度の純水もしくは、超純水の溶存酸素濃度を実質的に0.2ppm以下の純水を用い、化学エッチング処理後の化合物半導体基板表面を洗浄するか、これと同時に超音波洗浄を行う化合物半導体表面の清浄化方法および装置。
請求項（抜粋）：
高純度不活性ガス或いは高純度水素ガス雰囲気下において、17MΩ・cm以上の高比抵抗値を有する超純度の純水の流水を用い、化学エッチング処理後の化合物半導体基板表面を洗浄するか、或いはこれと同時に超音波洗浄を行うことにより化合物半導体表面上の自然酸化物を除去することを特徴とする化合物半導体表面の清浄化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/306
