半導体加速度センサおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菊谷公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-053418
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335596
出願日： 1991年02月25日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】ストッパのために接着などの実装コストをかけることなく、ギャップを精度よく制御でき、ウエハプロセス中に過大加速度がかかっても破損しないストッパ付き半導体加速度センサを得る。【構成】 n形層/酸化膜/P形基板の3層構造の両側2層に溝27、28をエッチングして加速度印加時一体に変位する錘部/錘側部を区画するとともに、平面上両溝が互いにオフセットする部分を設け、酸化膜31を横方向にエッチング除去して両溝を連通させることにより、錘部/錘側部が変位可能となると同時にオフセット部分が内臓ストッパとなるようにした。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板上に絶縁膜を介して形成された単結晶半導体層を有し、前記単結晶半導体基板は該基板に形成された溝により錘部と固定部とに分割され、前記単結晶半導体層は該層に形成された溝により前記錘部に略対応する錘側部と前記固定部に略対応する固定側部と該固定側部と錘側部とを接続する梁とに区画され、前記各溝は、互いに平面上オフセットする部分を有して前記錘部と固定側部とが、または前記固定部と錘側部とが重なるように形成するとともに、前記絶縁膜を錘部周縁にそって除去した空隙を介して連通させてあり、該錘部の変位を感知する手段を備えていることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3件)：

H01L 29/84 , H01L 21/265 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-162159
特開平2-240971
特開平2-237166

前のページに戻る