特許

J-GLOBAL ID：200903027036885638

半導体レーザモジュール

発明者： 茂原 政一 ,  服部 保次
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182843
公開番号（公開出願番号）：特開平9-033766
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 レーザ光を縦単一モードで発振させるとともに、レーザ光の損失量を低減させる半導体レーザモジュールを提供する。【構成】 半導体レーザ20は、活性領域24がストライプ構造で形成された活性層22と、活性層24の縦方向の一端面に形成されたバックファセット28と、活性層24の縦方向の他端面に形成されてバックファセット28の反射率よりも小さい反射率を有する出力ファセット26とを含む。導波型回折格子30は、活性領域24の端面に対して実質的に同一のサイズ形状で形成された端面を、活性領域24の端面に対峙して出力ファセット26に接合して配置されたコア34と、コア34の周囲を被覆して形成されたクラッド32と、少なくともコア34の一部に形成されて光導波方向に沿って周期的に変化した屈折率を有する回折格子領域36とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体レーザと伝送用光ファイバとを光学的に結合して実装した半導体レーザモジュールにおいて、誘導放出を生じる活性領域が縦方向に延びるストライプ構造で形成された活性層と、この活性層の縦方向の一端面に形成されて前記活性領域から発生した光を反射するバックファセットと、前記活性層の縦方向の一端面とは異なる他端面に形成されて前記バックファセットの反射率よりも小さい反射率を有する出力ファセットとを含む半導体レーザと、前記出力ファセットに接合した前記活性領域の端面に対して実質的に同一のサイズ形状で形成された端面を、当該活性領域の端面に対峙して当該出力ファセットに接合して配置されたコアと、このコアの周囲を被覆して形成されて当該コアの屈折率よりも小さい屈折率を有するクラッドと、少なくとも前記コアの一部に形成されて光導波方向に沿って周期的に変化した屈折率を有する回折格子領域とを含む導波型回折格子とを備え、前記半導体レーザ及び前記導波型回折格子は、前記バックファセットと前記回折格子領域との間で光共振器を構成することを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (3件)：

G02B 6/42 ,  H01S 3/08 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

G02B 6/42 ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/08