特許

J-GLOBAL ID：200903027048254803

発光素子

発明者： 三村 秀典 ,  二木 登史郎 ,  松本 貴裕
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270831
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097499
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 シリコンを用いた発光素子、特にpn接合を用いて電荷を注入して発光させる発光素子を提供する。【構成】 発光素子1は、p型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン(μc-SiC)11と多孔質シリコン層12aとn型の微結晶を含有する非晶質シリコンカーボン層13と透明電極であるITO14とで形成され、一方、μc-SiC11の下面には金属18が形成されている。発光素子1は、ITO14が形成されたガラス基板21上に導電性の接着剤23、例えば銀ペースト等を用いて接着されている。【効果】 従来の発光素子のバイアス電圧よりも低いバイアス電圧で、電子や正孔が発光層に入るので、従来の発光素子よりも低い動作電圧で発光し、しかも輝度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

バンドギャップが2.2eV以上のp型半導体とn型半導体により多孔質シリコン層を挟んだ構成としたことを特徴とする発光素子。