特許
J-GLOBAL ID：200903027048527443
急速熱処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-143450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-013026
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【目的】 急速熱処理装置において、裏面に多結晶シリコンを有する熱処理ウェハの熱処理に際しても、高精度の温度制御を可能にする。【構成】 被処理ウェハ2を加熱するランプ光源4と、被処理ウェハ2の裏面の温度を測定する放射温度測定手段としてのパイロメーター17,18と、被処理ウェハ2の温度に基づいてランプ光源4を制御する制御手段23と、被処理ウェハ2の裏面の光散乱強度を測定する光散乱強度測定手段22とを備え、光散乱強度測定手段22により測定された光散乱強度に基づいてパイロメーター17,18による被処理ウェハ2の測定温度を補正するように構成する。
請求項（抜粋）：
被処理ウェハを加熱するランプ光源と、前記被処理ウェハ面の温度を測定する放射温度測定手段と、前記被処理ウェハの温度に基づいて前記ランプ光源を制御する制御手段と、前記被処理ウェハ面の光散乱強度を測定する光散乱強度測定手段とを備え、前記光散乱強度測定手段により測定された光散乱強度に基づいて前記放射温度測定手段による測定温度を補正するようにして成ることを特徴とする急速熱処理装置。
IPC (2件)：
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