特許
J-GLOBAL ID：200903027051068603
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷 照一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287647
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129874
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 オン抵抗としきい値電圧が共に低い縦型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 縦型トランジスタは、ドレイン領域を構成するN+ シリコン層10a上にドリフト領域を構成するNエピタキシャル層10bを設けたシリコン基板10を用い、Nエピタキシャル層内にはN型不純物を導入したN表面高濃度領域11が形成されている。N表面高濃度領域の表面側から深さ方向にかけての濃度分布は、その最大濃度位置が縦型トランジスタの動作時にPボディ領域16の主表面側に形成されるチャネル電流領域の深さより深い位置Kに設られ、最表面側における濃度は、従来と同程度ないしそれ以下の濃度に形成される。そのため、縦型トランジスタのしきい値電圧を従来と同程度の低い値にすることができると共に、オン抵抗を従来より低くすることができる。
請求項（抜粋）：
主表面側に第1導電型の導電層を設けた半導体基板と、同半導体基板の主表面側の全面に第1導電型の不純物を導入して前記導電層より浅くかつ高い濃度に形成した表面高濃度領域と、前記主表面側の一部に設けた第1絶縁膜と、同第1絶縁膜上の一部に設けた電極膜と、前記主表面側から半導体基板内に第2導電型の不純物を導入して形成し前記電極膜の下側にまで広がると共に前記表面高濃度領域より深い第1導電領域と、同第1導電領域内に第1導電型の不純物を導入して形成し前記電極膜の下側にまで広がると共に、前記表面高濃度領域より浅い第2導電領域と、同第2導電領域内の一部に第2導電型の不純物を導入して形成した前記第2導電領域より深い第3導電領域とを備えた半導体装置において、前記表面高濃度領域の最大濃度位置を、同半導体装置の動作中に前記第1導電領域の主表面側に形成されるチャネル電流領域の深さより深い位置に設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 658 A
