特許

J-GLOBAL ID：200903027051502974

半導体装置

発明者： 常峰 美和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197279
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277710
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】 誘電体膜における結晶性が悪化するのを防ぎ、キャパシタのリーク電流を防止するようにした半導体装置を提供すること。【解決手段】 この発明に係る半導体装置は、キャパシタを備えた半導体装置であって、キャパシタは、半導体基板1上に設けられた絶縁層7と、絶縁層7上の所定位置に設けられたコンタクトホール9と、絶縁層7上に延在し、かつコンタクトホール9を介して半導体基板1に電気的に接続された下部電極8と、下部電極8の表面を覆うように形成された誘電体膜10と、誘電体膜10を介して下部電極8表面に対向するように設けられた上部電極11と、下部電極8の側面下端に隣接して設けられ、この下端近傍での絶縁層7と誘電体膜10との接触を防止する保護膜12とを備えており、保護膜12は、誘電体膜10と同一または類似の結晶格子定数を有する材料で構成されている。

請求項（抜粋）：

キャパシタを備えた半導体装置であって、半導体基板上に設けられた絶縁層と、この絶縁層上の所定位置に設けられたコンタクトホールと、上記絶縁層上に延在し、かつ上記コンタクトホールを介して上記半導体基板に電気的に接続された第1の導電体と、少なくとも上記第1の導電体の表面を覆うように形成された所定の結晶格子定数を有する誘電体膜と、上記誘電体膜を介して上記第1の導電体表面に対向するように設けられた第2の導電体と、上記第1の導電体の少なくとも側面下端に隣接して設けられ、この下端近傍での上記絶縁層と上記誘電体膜との接触を防止する保護膜とを備えており、上記保護膜は、上記誘電体膜と同一または類似の結晶格子定数を有する材料で構成されてなる半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 651

Fターム (15件)：

5F083AD28 ,  5F083AD42 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR33