特許
J-GLOBAL ID：200903027053773126
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311435
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161660
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】SiとTiを反応させてTiシリサイド膜を形成する際、Tiシリサイドが微細となっても高耐熱性を有するようにする。【構成】Si基板1や多結晶Si電極3上の自然酸化膜5を低エネルギのArによりSiに損傷を与えないように除去し、次にTi膜6をArに微量の酸素あるいは窒素を変化しスパッタリング法により形成する。次に窒素雰囲気中で熱処理してTiシリサイド膜7を形成し、表面あるいはSiO2 上にできるTiN膜等を除去する。この方法によりTiシリサイド膜7は均一に形成でき、Tiシリサイド膜7中の酸素あるいは窒素によりその後の熱処理を行なってもTiシリサイド膜7は凝集しにくく、微細なTiシリサイド層の電気特性の劣化を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板あるいは多結晶シリコン層上に高融点金属を被着して高融点金属を形成し熱処理により前記シリコン基板あるいは多結晶シリコン層上に前記高融点金属のシリサイド層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記高融点金属の被着に先立ち、前記シリコン基板あるいは多結晶シリコン層上のシリコン酸化膜を前記シリコン基板あるいは多結晶シリコン層に損傷を与えることなく除去する工程と、前記高融点金属層を酸素あるいは窒素を微量に含む雰囲気中でスパッタリングにより形成する工程とを同一真空室中で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/78
, H01L 21/336
