特許

J-GLOBAL ID：200903027055969648

半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜用組成物並びに半導体装置

発明者： 加藤 利彦 ,  湯佐 正己 ,  宮寺 信生 ,  武田 信司 ,  宮寺 康夫
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-034166
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053208
出願日： 1991年02月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【構成】 酸三無水物(a)〔トリメリット酸トリグリセライド三無水物等〕3〜35モル%及びアルキレンビス(トリメリット酸無水物)を少なくとも50モル%含むテトラカルボン酸二無水物(b)97〜65モル%を含む酸無水物(A)並びに少なくとも一つのアミノ基に対してオルト位に少なくとも一つの置換基を有する芳香族ジアミン〔3,3’5,5’-テトラメチル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン等〕を少なくとも0.5モル%含むジアミン(B)を有機極性溶媒中で反応させて得られるポリイミド系樹脂の前駆体を含有してなる半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜用組成物。【効果】 低温で硬化させても、湿式エッチングが可能でかつ耐湿信頼性に優れるポリイミド系樹脂膜となる。

請求項（抜粋）：

酸三無水物(a)3〜35モル%及び化1【化1】(ただし、化1中、nは2〜16の整数を示す)で表わされる酸二無水物を少なくとも50モル%含むテトラカルボン酸二無水物(b)97〜65モル%を含む酸無水物(A)並びに少なくとも一つのアミノ基に対してオルト位に少なくとも一つの置換基を有する芳香族ジアミンを少なくとも0.5モル%含むジアミン(B)を有機極性溶媒中で反応させて得られるポリイミド系樹脂の前駆体を含有してなる半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜用組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/10 NTF ,  H01L 21/90