薄膜半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218368
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】固相成長法の利点を最大限に利用して、結晶性の優れたシリコン薄膜を作成し、オフ電流の少ない薄膜トランジスタを実現する。【構成】不純物特に炭素の含有量が1×1018cm-3以下の非晶質シリコン薄膜を固相成長させることにより薄膜トランジスタを作成する。【効果】炭素等の不純物を含まないため、シリコン薄膜の結晶性がきわめて良好になる。その結果、オフ電流の極めて少ない薄膜トランジスタが実現される。

請求項（抜粋）：