特許
J-GLOBAL ID：200903027058188337
酸化物超電導体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103896
公開番号（公開出願番号）：特開平6-135718
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：
【要約】臨界電流密度を向上させ、その実用化の促進を図った酸化物超電導体の提供を目的とする。【構成】 酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する銅の一部を添加した遷移元素で置換して非超電導相ないし絶縁相を析出2b、クラスター2aもしくは点状に形成させて成ることを特徴とし、さらには、酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する銅および酸素の一部を添加した遷移元素と、ハロゲン元素窒素,燐,砒素,アンチモン,硫黄,セレン,テルル,ポロニウムの群れから選ばれた少なくとも1種の元素とでそれぞれで置換して非超電導相ないし絶縁相を析出2b、クラスター2aもしくは点状に形成させて成ることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
酸化物超電導体において、前記酸化物超電導体を構成する銅の一部を添加した遷移元素の群れから選ばれた少なくとも1種で置換して非超電導相ないし絶縁相を析出,クラスターもしくは点状に形成させて成ることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (3件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/00 ZAA
