特許

J-GLOBAL ID：200903027058635791

スパッタリング用ターゲット及びその製造方法

発明者： 真嶋 宗位 ,  三木 修司
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062728
公開番号（公開出願番号）：特開平6-248446
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月06日
要約：

【要約】【目的】 焼結体の密度比を高くすることができ、したがって、ターゲットの使用効率を向上させることができ、このターゲットを用いて製品を生産した場合の製品の量産性を向上させることができるスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。【構成】 ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択された1種以上を主成分とするスパッタリング用ターゲットであって、該ターゲットの焼結体密度比は80%以上であり、かつ、その結晶粒径は50μm以下である。また、製造方法は、平均粒径が0.1〜100μmの範囲で粒径が重なり合わない複数の粉体群で、これらの粉体群の少なくとも2つの粉体群の混合粉体からなるホウ化物粉を用いる。

請求項（抜粋）：

ホウ化ハフニウム、ホウ化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化ランタンから選択された1種以上を主成分とするスパッタリング用ターゲットであって、該ターゲットの焼結体密度比は80%以上であり、かつ、その結晶粒径は50μm以下であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/58 105 ,  C04B 35/58