特許
J-GLOBAL ID：200903027068504830
パターン測長方法と測長用パターンとパターン転写方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126142
公開番号（公開出願番号）：特開平7-332936
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 ホトマスク上のパターンの寸法を高精度で測定する。【構成】 半導体素子のパターンに対応する主パターンがホトマスクとして描画されたマスク基板1に、主パターンと同一工程で測長用パターンを描画しておく。測長用パターンは、例えばCrのラインが顕微鏡の解像度以下のピッチで繰り返し配置された物であり、各Crのラインは主パターンと同様の設計値に対するずれ寸法を有している。照明用光源3からの光が測長パターンを透過し、顕微鏡4に備えられたCCDカメラ5及び光量測定機7で測定される。その測定結果から参照光に対する透過光の相対光強度が求められて、主パターンの設計値に対するずれ寸法が推定される。
請求項（抜粋）：
透光性の基板上に遮光パターンを描画して形成された主パターンの設計値に対するずれ寸法を測定するパターン測長方法において、前記主パターンと同一工程で前記透光性の基板上に描画された前記遮光パターンが顕微鏡の解像限界以下のピッチで繰り返し配置された測定部を有する測長用パターンを形成し、前記測定部を透過した光の強度を前記顕微鏡を用いて測定して前記主パターンの設計値に対するずれ寸法を求める、ことを特徴とするパターン測長方法。
IPC (4件)：
G01B 11/02
, G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/66
