特許

J-GLOBAL ID：200903027069303308

半導体装置

発明者： 新宅 秀臣
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180941
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029285
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 エッチングを適確に行い得ると共に、微細な間隔で配線層を形成し得る半導体装置を提供するものである。【構成】 半導体基板の表面に、一方向に所定の間隔をおいて整列配置された第1の配線1a,1b,1c,1dを有する半導体装置において、第1の配線1a,1b,1c,1dに対して離間,且つ囲繞するように第2の配線2を基板に設けている。この第2の配線2は、第1の配線の端部と相互間隙を狭めるべく、間隙部分に向けて突出した突出部Tを有する。突出部TはプラズマCVD膜の被着時やエッチング時に間隙部分に進出する為、後に続く工程でパッシベーション膜にボイド開口部が形成されたり、或いはフォトレジスト内に気泡が発生することが防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に、一方向に所定間隔を置いて第1の配線が整列配置された半導体装置において、前記基板上に前記第1の配線に対して離間され,且つ該第1の配線を囲繞するように第2の配線を設け、該第2の配線は該第1の配線の端部間の間隙部分に向けて突出された突出部を有することを特徴とする半導体装置。