特許

J-GLOBAL ID：200903027073617511

窒素-3属元素化合物半導体発光素子

発明者： 真部 勝英 ,  佐々 道成 ,  野杁 静代 ,  梅崎 潤一
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316600
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151965
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】AlGaInN 発光ダイオードにおける発光輝度及び発光寿命の向上【構成】サファイア基板1に、順に、500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.2μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+層3、膜厚約 1.5μm、電子濃度1 ×1016/cm3のノンドープGaN から成る低キャリア濃度n層4、膜厚約0.5 μm、ホール濃度1 ×1016/cm3のMgドープGaN から成る低キャリア濃度p層51、膜厚約0.2 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3の高キャリア濃度p+ 層52が形成されている。n層はp層に近い順に、低キャリア濃度n層4と高キャリア濃度n+ 層3の2重構造であり、p層はn層から近い順に、低キャリア濃度p層51と高キャリア濃度p+ 層52の2重構造である。この結果、発光輝度及び素子寿命の向上が見られた。

請求項（抜粋）：

n型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn層と、p型の窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) からなるp層とを有する窒素-3属元素化合物半導体発光素子において、前記n層を、前記p層と接合する側から順に、低キャリア濃度n層と高キャリア濃度n+ 層との二重構造とし、前記p層を、前記n層と接合する側から順に、低キャリア濃度p層と高キャリア濃度p+ 層との二重構造としたことを特徴とする発光素子。