特許
J-GLOBAL ID：200903027074250158
液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228576
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075245
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 透明電極を保護し、水素パッシベーションの必要な薄膜トランジスターのみ水素パッシベーションを行うことにより、ドレインリーク電流値を下げる。【構成】 絶縁基板と、該基板上に形成されたスイッチング用の多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む画素部と、この画素部に隣接して形成され、画素部を駆動する多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む駆動回路部と、画素部および駆動回路部表面に形成されたプラズマ窒化珪素膜またはプラズマ酸化珪素膜からなる保護層とを有する薄膜トランジスターアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置において、少なくとも画素部のスイッチング用の薄膜トランジスター部分が開口され、該開口部分の多結晶シリコン活性層の水素濃度が、非開口部分の多結晶シリコン活性層より高い。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、該基板上に形成されたスイッチング用の多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む画素部と、前記画素部に隣接して形成され、前記画素部を駆動する多結晶シリコン薄膜トランジスターを含む駆動回路部と、前記画素部および前記駆動回路部表面に形成されたプラズマ窒化珪素膜またはプラズマ酸化珪素膜からなる保護層とを有する薄膜トランジスターアレイ基板を少なくとも有する液晶表示装置において、少なくとも前記画素部のスイッチング用の多結晶シリコン薄膜トランジスター部分が開口され、該開口部分の多結晶シリコン活性層の水素濃度が、非開口部分の多結晶シリコン活性層の水素濃度より高いことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/133
, H01L 29/784
